Untersuchung des Oberflächenpotentials von MOSFETs im Unterschwellenbereich [German]

by Swapnadip De, Ishita Gupta, Poulami Dutta

In diesem Buch liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung und dem Einfluss von Verarmungsschichten um die Source- und Drain-Regionen auf die Sub-Threshold-Eigenschaften eines Kurzkanal-MOS-Transistors mit gleichm ig dotiertem Kanal. Ein analytisches Modell f r das Oberfl chenpotential unter der Schwelle in einem Kurzkanal-MOS-Transistor wurde entwickelt, indem die pseduo-2D-Poisson-Gleichung gel st wurde, die durch Anwendung des Gau schen Gesetzes...

• Format: Paperback
• Language: German
• ISBN: 6206353508
• ISBN13: 9786206353508
• Release Date: August 2023
• Publisher: Verlag Unser Wissen
• Length: 68 Pages
• Weight: 0.25 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"