Dans ce livre, l'accent a t mis sur la mod lisation et l'influence des couches de d pl tion autour des r gions de source et de drain sur les caract ristiques de sous-seuil d'un transistor MOS canal court avec un canal uniform ment dop . Un mod le analytique pour le potentiel de surface sous le seuil dans un transistor MOS canal court a t d velopp en r solvant l' quation de Poisson pseduo-2D, formul e en appliquant la loi de Gauss une bo...