In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichm ig dotiert. Daher ist einer der Schl sselfaktoren f r die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichm igen Dotierungsprofils...