Modellazione dei parametri di base per i MOSFET non convenzionali [Italian]

by Swapnadip De

In questo libro, le tecniche di ingegneria del canale e di ingegneria del gate sono combinate per formare nuove strutture di dispositivi proposte come MOSFET a singolo alone e doppio materiale (SHDMG) e MOSFET a doppio alone e doppio materiale (DHDMG). I MOSFET avanzati sono drogati in modo non uniforme a causa del complesso flusso di processo. Pertanto, uno dei fattori chiave per modellare accuratamente i parametri caratteristici la modellazione...

• Format: Paperback
• Language: Italian
• ISBN: 6206331202
• ISBN13: 9786206331209
• Release Date: August 2023
• Publisher: Edizioni Sapienza
• Length: 60 Pages
• Weight: 0.22 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"