Neste livro, as t cnicas de engenharia de canal e engenharia de porta s o combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo nico (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avan ados s o dopados de forma n o uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precis o os par metros caracter sticos ...