L'effet tunnel dependant du spin dans une jonction tunnel magnetique, connait ces dernieres annees un regain d'interet avec sa mise en evidence a temperature ambiante et avec ses multiples applications potentielles pour l'elaboration de nouveaux dispositifs micro-electroniques (memoires non-volatiles, capteurs magneto-resistifs, etc). Ce travail nous a amene a elaborer des jonctions tunnel magnetiques de taille micronique et a etudier la correlation entre leurs proprietes magnetiques et leurs proprietes de transport polarise en spin a des echelles macroscopiques et microscopiques. Il s'est avere que, grace a la sensibilite extreme du transport par effet tunnel polarise en spin aux fluctuations de l'aimantation aux interfaces metal ferromagnetique/isolant, les jonctions magnetoresistives sont des systemes ideaux pour etudier selectivement l'evolution de la structure en domaines des couches ferromagnetiques en contact avec la couche isolante en fonction du champ magnetique applique."
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