Ce travail de these est constitue de deux grandes parties. Dans la premiere partie, nous avons etudie la redistribution du B dans le Si(001), a l'ambiante et apres recuit thermique, a l'aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette etude, le Si a ete fortement dope en B. La concentration en B dans le Si peut alors depasser la limite de solubilite. On est donc dans le cas d'un systeme sursature. Dans ce cas, nous avons observe...