Dans le pr sent travail, nous avons utilis les propri t s optiques de films minces d'oxyde de zinc pur et dop comme semi-conducteur de type n. Les films minces ont t d pos s diff rentes molarit s de pr curseur par des techniques de pulv risation ultrasonique et de pyrolyse par pulv risation, ainsi qu' diff rentes temp ratures de substrat, les films minces de ZnO dop s avec diff rents dopants tels que Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dop s. Dans ce travail, l'attention a t port e sur la nouvelle approche actuelle pour calculer l' nergie de la bande interdite et les nergies d'Urbach. Le mod le propos pour calculer la bande interdite ou les nergies d'Urbach des films minces de ZnO non dop s et dop s a t tudi . La relation entre les donn es exp rimentales et le calcul th orique avec les molarit s des pr curseurs sugg re que la bande interdite ou les nergies d'Urbach sont principalement estim es par la bande interdite ou les nergies d'Urbach et la concentration de la solution de ZnO.
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