Dans le pr sent travail, nous avons utilis les propri t s optiques de films minces d'oxyde de zinc pur et dop comme semi-conducteur de type n. Les films minces ont t d pos s diff rentes molarit s de pr curseur par des techniques de pulv risation ultrasonique et de pyrolyse par pulv risation, ainsi qu' diff rentes temp ratures de substrat, les films minces de ZnO dop s avec diff rents dopants tels que Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dop s...