Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influ ncia das camadas de deple o em torno das regi es de fonte e dreno nas caracter sticas sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido um modelo anal tico para o potencial de superf cie sublimiar num trans stor MOS de canal curto, resolvendo a equa o de Poisson pseduo-2D, formulada atrav s da aplica o da lei de Gauss a uma caixa retangular no...