Thema dieses Buches sind elektrostatische Entladungseffekte (ESD) in integrierten Siliciumschaltkreisen, die sich zu einem wesentlichen Problem der modernen hochintegrierten Schaltungen mit Strukturbreiten in Sub-Mikrometer-Dimensionen entwickelt haben. Diese 2. Auflage des klassischen Handbuchs liefert einen kompletten Überblick über alle Aspekte des ESD und die unmittelbaren Folgerungen für Entwurf und Entwicklung neuer Schaltkreise und Technologien...