L'objectif de cette these a ete l'etude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, elabores par la technique MOCVD. Les echantillons ont ete caracterises par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures electriques montrent que les couches dopees azote restent de type n meme apres avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont neanmoins observees par photoluminescence et Raman:...