In der vorliegenden Arbeit haben wir die optischen Eigenschaften von reinen und dotierten Zinkoxid-D nnschichten als n-Typ-Halbleiter untersucht. Die d nnen Schichten wurden mit verschiedenen Vorl ufermolarit ten durch Ultraschallspr h- und Spr hpyrolyseverfahren sowie bei verschiedenen Substrattemperaturen abgeschieden, wobei das ZnO mit verschiedenen Dotierstoffen wie Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dotiert wurde. In dieser Arbeit wurde das Augenmerk...