In der vorliegenden Arbeit haben wir die optischen Eigenschaften von reinen und dotierten Zinkoxid-D nnschichten als n-Typ-Halbleiter untersucht. Die d nnen Schichten wurden mit verschiedenen Vorl ufermolarit ten durch Ultraschallspr h- und Spr hpyrolyseverfahren sowie bei verschiedenen Substrattemperaturen abgeschieden, wobei das ZnO mit verschiedenen Dotierstoffen wie Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dotiert wurde. In dieser Arbeit wurde das Augenmerk auf den derzeit neuen Ansatz zur Berechnung der optischen L ckenenergie und der Urbach-Energien gerichtet. Das vorgeschlagene Modell zur Berechnung der Bandl cke oder der Urbach-Energien von undotierten und dotierten ZnO-D nnschichten wurde untersucht. Die Beziehung zwischen den experimentellen Daten und der theoretischen Berechnung mit Vorl ufermolarit ten deutet darauf hin, dass die Bandl cke oder die Urbach-Energien haupts chlich durch die Bandl cke oder die Urbach-Energien und die Konzentration der ZnO-L sung gesch tzt werden.
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