Nel presente lavoro, abbiamo utilizzato le propriet ottiche di film sottili di ossido di zinco puro e drogato come semiconduttore di tipo n. I film sottili sono stati depositati a diverse molarit di precursori mediante tecniche di spray ultrasonico e pirolisi spray e a diverse temperature del substrato, i film sottili di ZnO drogati con vari droganti come Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. In questo lavoro l'attenzione stata focalizzata sull'approccio...