Avec l'av nement des syst mes lectroniques portables et des syst mes de communication mobiles, la conception de circuits en mode mixte basse tension et faible consommation a pris de l'importance. Pour le fonctionnement de ces syst mes, tels que les appareils auditifs, les stimulateurs cardiaques implantables, les t l phones cellulaires et les terminaux multim dias portables, etc. Ils n cessitent une faible dissipation d' nergie afin d'avoir une dur e de vie et un poids raisonnables. La conception de circuits analogiques haute performance devient de plus en plus difficile en raison de la tendance persistante la r duction des tensions d'alimentation. La topologie de miroir de courant CMOS faible tension et niveau d cal a t s lectionn e et optimis e pour obtenir les r sultats souhait s en variant les dimensions des transistors et les tensions de polarisation. La gamme dynamique a t am lior e par un facteur de 800 A et la bande passante a t am lior e de plus de 189 MHz par rapport au travail de r f rence. La dissipation de puissance a t am lior e de plus de 40%.
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