No presente trabalho, utiliz mos as propriedades pticas das pel culas finas de xido de zinco puro e dopado como o semicondutor do tipo "n". As pel culas finas foram depositadas em diferentes molaridades precursoras por spray ultra-s nico e t cnicas de pir lise de spray tamb m a diferentes temperaturas do substrato, o ZnO dopado com v rios dopantes tais como Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dopado de pel culas finas de ZnO. Neste trabalho, a aten...