Роль отжига на инженерию [Russian]

by ..  ,   ..,  ..

Диэлектрики с высокой проницаемостью и соответствующие подложки интенсивно изучаются с целью их использования в проектировании СБИС. Однако оксид гафния (HfO2) является перспективным кандидатом на создание нового поколения диэлектриков затвора благодаря своей относительно высокой диэлектрической проницаемости 25, широкой полосе пропускания, хорошей термической стабильности и относительно высокой свободной энергии реакции с материалом подложки. В последнее время электронным устройствам на основе Ge вновь уделяется большое внимание, и Ge может обеспечить решение основных проблем, с которыми сталкивается технология Si в передовых КМОП-приборах; это связано, прежде всего, с более высокой мо-бильностью как дырок, так и электронов в подложке Ge. Таким образом, данная книга будет полезна читателям для ознакомления с некоторыми существенными вопросами технологии Ge для высокочастотных устройств.

• Format: Paperback
• Language: Russian
• ISBN: B0CHL9N3FC
• ISBN13: 9786206433774
• Release Date: September 2023
• Publisher: Sciencia Scripts
• Length: 72 Pages
• Weight: 0.26 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"